103年 TKB數位學堂 半導體 研究所 袁大為 24堂(含PDF電子書)函授DVD 影音教學版(4DVD)
103年TKB數位學堂半導體研究所袁大為24堂(含PDF電子書)函授DVD影音教學版(4DVD)課程內容:
001_01-01_CH1半導體元件簡介與固體結晶結構_01(1時33分00秒).mp4
002_01-02_CH1半導體元件簡介與固體結晶結構_02(1時16分19秒).mp4
003_02-01_CH1固體的型式_01(1時31分31秒).mp4
004_02-02_CH1固體的型式_02(1時27分27秒).mp4
005_03-01_摻雜的技術_01(2時07分04秒).mp4
006_03-02_摻雜的技術_02(1時07分20秒).mp4
007_04-01_CH2無限位勢障P39_01(1時45分50秒).mp4
008_04-02_CH2無限位勢障P39_02(1時20分51秒).mp4
009_05-01_CH2例題2.3P53_01(1時56分56秒).mp4
010_05-02_CH2例題2.3P53_02(1時08分03秒).mp4
011_06-01_CH3平衡半導體P73_01(1時49分51秒).mp4
012_06-02_CH3平衡半導體P73_02(1時08分17秒).mp4
013_07-01_電子濃度與電洞濃度(1時43分15秒).mp4
014_07-02_載子濃度與溫度之關係(1時19分50秒).mp4
015_08-01_移動率現象(1時38分27秒).mp4
016_08-02_能帶變曲(1時21分29秒).mp4
017_09-01_CH3漸變雜質分佈P117_01(1時37分25秒).mp4
018_09-02_CH3漸變雜質分佈P117_02(1時27分18秒).mp4
019_10-01_CH5時變之擴散方程式P140_01(1時45分06秒).mp4
020_10-02_CH5時變之擴散方程式P140_02(1時15分35秒).mp4
021_11-01_過量載子的生命期_01(1時43分12秒).mp4
022_11-02_過量載子的生命期_02(1時16分05秒).mp4
023_12-01_PN接面反偏(1時42分57秒).mp4
024_12-02_PIN接面(1時24分01秒).mp4
025_13-01_CH6理想二集體方程式的推導P181_01(1時44分41秒).mp4
026_13-02_CH6理想二集體方程式的推導P181_02(1時21分51秒).mp4
027_14-01_CH6二極體崩潰P193_01(1時47分22秒).mp4
028_14-02_CH6二極體崩潰P193_02(1時16分37秒).mp4
029_15-01_CH7雙極性接面電晶體(1時49分01秒).mp4
030_15-02_低頻共基極電流增益(1時19分27秒).mp4
031_16-01_BJT過量少數載子濃度_01(1時42分37秒).mp4
032_16-02_BJT過量少數載子濃度_02(1時21分34秒).mp4
033_17-01_頻率限制_01(1時55分37秒).mp4
034_17-02_頻率限制_02(1時17分41秒).mp4
035_18-01_N基板MOS電容器能帶圖(2時50分21秒).mp4
036_19-01_空乏型N通道MOSFET_01(1時52分01秒).mp4
037_19-02_空乏型N通道MOSFET_02(1時11分14秒).mp4
038_20-01_MOSFET的崩潰_01(1時44分28秒).mp4
039_20-02_MOSFET的崩潰_02(1時12分46秒).mp4
040_21-01_SBD與PNDiode之比較_01(1時53分13秒).mp4
041_21-02_SBD與PNDiode之比較_02(1時02分32秒).mp4
042_22-01_CH10光電元件_01(1時40分59秒).mp4
043_22-02_CH10光電元件_02(1時22分48秒).mp4
044_23-01_LED的基本原理(1時30分21秒).mp4
045_24-01_基本製程技術(3時13分15秒).mp4
046_24-02_銅鍍膜(2時53分09秒).mp4

講義
半導體元件(2版).pdf
半導體元件(3版).pdf



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